微处理器线键合EBSD的微结构特征
球键合是一种线键合，通常用于半导体器件的电气互连。
所选微处理器概述:使用M4 TORNADO获取micro-XRF地图。
球键合是一种通常用于半导体器件电气互连的线键合方式。利用热、静压和超声波能量，在金球和芯片表面之间产生焊缝。
由于过程变量之间的相互作用，设计最佳键合设置是很困难的。EBSD分析是通过识别金属互连的结构变化或变形来帮助理解设备故障的完美工具。结合EDS/EBSD分析功能:
- 同时对不同层进行化学和微观结构表征
- 评估晶体的形成和生长
- 本地化塑性应变
- 计算孪晶边界的数量
- 确定粒度
- 揭示非晶材料和空穴
用宽离子束铣削制备试样进行EBSD分析。使用Leica TXP和TIC3X器械进行横截面制备的BSE图像。
使用ARGUS成像探测器获取定向对比度图像。结果表明，尽管离子铣削产生了一些幕帘效应，但样品制备良好;通过ARGUS颜色编码取向对比，金键内部应变清晰可见。
EBSD取向分布图热影响金键。非常高的索引率(>95%)是实现在快速测量。无碳涂层。晶粒尺寸从200 nm到22 m不等。
低角度错向分布图(或核平均错向分布图)揭示了金键合中位错和低角度晶界的富集。宽离子铣削抛光对取向偏差分布大于0.5°的影响可以忽略不计。