材料研究中用于高端阀杆的大收集角EDS探测器必威手机客户端
示例-半导体结构
用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常具体的几何约束。仅用于X射线采集的大立体角是不够的。高起飞角、合适的准直器形状或极片盖以及合适的样本夹几何结构对于成功的EDS分析至关重要，并有助于保持阴影和系统峰值检查中。一个大的椭圆形探测器区域（例如100 mm2.)可以在某些情况下支持所有这些参数的优化。然而，对于其他TEM几何结构，冷阱和极片形状造成的限制可能只能通过较小的探测器面积来解决(30毫米2.和60毫米2.)。只有仔细评估每个显微镜的几何结构，才能确保选择正确的检测器。Bruker的检测器细线设计在上述所有情况下都有帮助。
这个XFlash®6T-100椭圆形安装在像差校正杆上，用于评估由FinFET结构制备的横截面试样中的元素分布。（资料来源：ACE，图1）。为了正确评估这种半导体结构的化学成分，特别重要的是分离重叠的元素线，例如低能范围内的Ni和Ti，1.4千电子伏和2千电子伏之间的Hf、Si和W，以及10千电子伏左右的Ge和W的重叠线。此外，镓离子研磨的残留物以及显微镜内部和样品架的二次荧光可能会使分析复杂化。布鲁克氏ESPRIT软件提供轻松解决这些问题的方法（图2）。重叠的元素线很容易识别。背景模型的清晰处理和背景相减有助于考虑和识别频谱中存在的每一条线。在校正系统峰值对定量结果的影响时，可以常规识别系统峰值并从定量中排除。相对克里夫-洛里默因子法和绝对Zeta因子法可用于量化。
此处，采用Cliff-Lorimer方法对样本中的元素分布进行量化。使用的理论Cliff-Lorimer因子根据ESPRIT不断更新的原子数据库和已知的探测器样本几何结构和探测器材料组成进行计算。所有元素的分布，包括氮和haf定量分析了每种器件设计中存在于薄层中的NiU和Ti。利用所得数据，可以用纳米精度评估结构的质量，并可以找到器件失效的潜在原因（图1-3）。
请考虑以下同侪复活出版物，以进一步应用高立体角椭圆形探测器在其他领域的研究。
[1]X射线光谱法鉴定单个杂原子（开放存取）
《应用物理学通讯》第108卷第16期，163101（2016年）；作者：R.M.Stroud、T.C.Lovejoy、M.Falke、N.D.Bassim、G.J.Corbin、N.Dellby、P.Hrncirik、A.Kaepel、M.Noack、W.Hahn、M.Rohde和O.L.Krivanek
[2]室温多铁性材料中磁离子分配的直接原子尺度测定（开放存取）
科学报告7，（2017）文章编号：1737；作者：L.Keeney等人。
