AFM模式

扫描电容显微镜(SCM)

高分辨率,二维掺杂剖面

绘制非均匀掺杂半导体样品的载流子浓度通常依赖于二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻剖面(SRP)和一维电容-电压(C-V)等工具。这些仪器生成一维的数据,需要推断出定量的二维信息。

扫描电容显微镜(SCM)提供了一种直接测量活性载流子浓度的方法,具有纳米尺度的精度。SCM起源于联系方式并使用一个非常敏感的高频谐振电路来测量针尖和样品表面之间的电容变化。

除了单片机,Bruker提供了几种纳米电特性的表征模式,广泛的电气应用。

半导体表面的SCM图像,显示了被As+离子严重掺杂的区域。70μm扫描大小。