。に制御された方法で试料に负荷を加えたり,取り除いたりすることによって行われます。
ナノインデンテーションプロセスでは,トランスデューサによって力が加入られ,プローブの変位が连続的にさ,従来の力対曲が得られますこの得られます。し,そこからナノスケールの材料性をををますすることができことができことができことができことができハイジトロンナノインデンターは,独自の3プレート静でプローブのますで测定します。
精选に机械加工された刚性の高いプローブと组みわわことこと厳密に制御トランスデューサ构造さににされ构造とに标准れた构造正式仪器により,どの校标准标准も,どのようなでも幂的象征性の高い测定が可になります。
测定された力対変位曲変位変位曲曲析するで,サンプルの机械的特性をなな情からことができことができことができことができことができことができられる値得る得ることができことができことができことができことができ得ることができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができことができ得る得ることができことができことができことができ値値得る,还还元(er)とと(h)です。また,破壊韧性,刚性,剥离力,膜厚などの他の情情ことができます。
ハイシトロンのスタンドアロン型型システムは,すべて原位spmイメージングイメージング可能。试験试験の直前や试験后后同じプローブを使って试料试料表面をすることで试料でででででででででととととととととととととととととなりとととなり后の変形现象や试料の回复状况を観察することができます。
を备えているため,准静的ナノインデンテーションは幅広いサンプル検查の可能性をカバーします。
ブルカー动作がで,その静电流设计を采た世界で唯ですです世界世界ボトム唯ボトム変位のトッププレートとボトムに,互いに180°位相がずれた2つつの信号をこと测定されます.AC信号は中央の(フローティング)プレートプレート観测れ,信号の合同测定さた変位対応し。ために,直流オフセットがトランスデューサのプレートプレート印央れ,静ににプレートをにに引き寄せのますにより向きに引き寄せ。ます。
ハイジトロンのナノインデンテーションシステムには,标准モデルを使使ししし対変位変位曲変位の初アンロードアンロードをフィットせ,还元弾性率(er)とと(h)の値値抽出する准静データデータパッケージが含まれています。
准静的试験では,高度な解析ソフトウェアパッケージを使用してナノインデンテーションプローブの面积关数を计算し,プローブ形状のばらつきを确実に补正することができます。
ナノインデンテーションは,幂の材料の械性を定量的にするにに使れるれるれるれるれるれるれるれる术に得られた対曲曲に适切适切ななモデル曲さに适切なモデルをさせることことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことことこと,硬度,クリープ,応力量,,界面界面,破壊韧性などの性をナノスケールマイクロスケール测定することができますでことができことができます。