污染控制
可靠有效的缺陷和污染控制对生产线的成品率至关重要。Bruker为这个任务提供了解决方案。
介绍
污染控制
痕量金属污染是半导体器件制造中日益受到关注的问题。污染对于先进技术节点尤其重要。表面的痕量金属以多种方式影响半导体器件的性能和产品收率。在高温处理过程中，表面的金属会扩散到硅衬底中，作为复合中心，降低少数载流子的寿命。表面的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响，并与栅极氧化物结合并降低氧化物的完整性。因此，微量金属污染的表面测量是器件制造中的关键步骤。
TXRF
TXRF用于污染控制
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF实现快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集关键污染测量数据所需的质量控制与定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
在TXRF中，一束x射线以一个掠射角射入晶圆片表面。选择掠射角是为了允许入射x射线的全内反射，以改善仅在晶圆表面材料的激发。选择入射的x射线束能量来激发表面污染中某些元素的x射线发射。污染物种发出的x射线具有元素特有的特征能量。这允许定量的污染种类或痕量金属。x射线荧光过程对晶圆是无损的，测量尺寸由固态探测器几何尺寸确定。
收集关键污染测量数据
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF实现快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集关键污染测量数据所需的质量控制与定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
SEM /为解决方案
在半导体硅化钽中解决峰值重叠
由于半导体材料中的污染物通常又小又薄，因此通常在非常低的加速电压(1-5 kV)下进行分析。这限制了x射线光谱学的低能线，并需要具有高光谱分辨率能力的分析技术，如WDS。
