アトムカラムeds分享

半导体の特は，原子レベルの构造，例えば点欠陥によって决まり。可怕限制最高の度でedsマッピングををするで，そのよう欠陥をてこと付けるようことができな欠陥を见つけこと付けることができことができをことことでことができことができ

このこのアプリケーションの例では，m。W. Chuによってによっておよび公开开されたデータを确认します（m。W. Chu Et。al。，phy。rev. lett。104,196101（2010），https://journals.apl.org/prl/abstract/10.1103/physrevlett.104.196101）。调查调查されたのは，Ingaasとinalasのの层からからなるなる构造でしでしでしでしののののドウェル时间（合唱13秒のの时空）と33PAのの电阻流使て，Ingaas构造の原子配列のの成の変の决定するました。在マップの右下载それによって，haadのラインにおいてindaが低く表示れていいいいいいますますいいいいいいいていいいいいいいいいいいいないあることことことないないないことないないから