原子柱EDS分析

半导体的性质是由其原子水平上的结构决定的，例如由点缺陷决定的。使用尽可能高的分辨率的EDS映射，可以定位和表征这些缺陷。

这个应用程序示例查看由m.w. Chu (m.w. Chu et al.， Phys. .)提供和发布的数据。Rev. Lett. 104, 196101 (2010)，https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)．研究了一种由InGaAs和InAlAs交替层组成的多层结构。仅使用3 ms的停留时间(13 s的总测量时间)和33 pA的束流，就可以在InGaAs结构的一个原子柱中确定In成分的变化。In的缺失可以从In地图右下角的蓝色缺失中看出，它还会导致HAAD线剖面中较低的InGa列显示出来。