TEM-EDSを用いた半導体RAMマイクロチップの超高分解能マッピング

X線ベースの方法による半導体ナノ構造の元素分布マッピングは,必ずしも容易ではありません。ナノスケールの空間分解能の必要性とX線ピークのオーバーラップは,半導体材料を調査する際の一般的な課題です。特性評価のために高価なTEMで工数を使う代わりに,SEMを使用したほうが有益な場合があります。本例では,試料とSEMポールピースの間に放射状に配置された4つのSDD象限をもつXFlash^®EDS検出器を用いて、SEMで取得した半導体構造の高解像度EDSマップを示しています。220年20 kvの加速電圧とpaのビーム電流を用いています。XFlash^®検出器の高感度により,SEMで10 nmより優れた空間分解能を達成することができます(図2参照)。X線ピークが強く重なっているにもかかわらず,力量のESPRITソフトウェアに実装されているピークデコンボリューションモデルにより,シリコン(Si)とタングステン(W)がマップ上で十分に区別することができます(図1参照)。