半导体结构在SEM（T-SEM）中使用茎ED的高分辨率映射

半导体纳米结构与基于X射线的方法的元素分布映射并不总是直接向前。在研究了半导体材料时，纳米级空间分辨率和X射线峰值重叠是共同的挑战。必威手机客户端传输模式（T-SEM）中的SEM有时可以替换昂贵的TEM。本示例显示了高分辨率eds.使用环形在SEM中获取的半导体结构的地图Xflash.^®Batrquad.EDS检测器，具有4个SDD象限，可在样品和SEM极靴之间设置径向对称性。使用220Pa波束电流在20 kV下获得地图。Xflash的高灵敏度^®Batrquad探测器允许在SEM中达到10nm的空间分辨率（参见图2）。尽管X射线峰值强烈重叠，但由于在Bruker中实施的峰值折叠模型模型，硅（Si）和钨（W）可以在地图中得到很好的区别Esprit.软件（见图1）。