GaN on Si Power Device Metrology

Si功率器件上的GaN可以生长阶梯式和最高级缓冲器，但两种类型的器件层都是相同的。

阶梯式缓冲器用于低压装置，并且通常较差的结构。在这些缓冲液中，需要各个层的组成，并且可以从HRXRD测量中获得，以及从摇摆曲线的宽度获得的质量。

超晶格缓冲器更复杂，已为更高电压器件开发。它们由AlGaN / GaN（或类似）层的重复双层组成，HRXRD在超晶格中提供超晶格周期和平均AlGaN组合物。

不管缓冲层，X射线测量所需的器件层参数是每层的厚度和AlGaN阻挡层的组成。这些可以从X射线扫描的组合中找到。

SI应用程序对GaN开发了全套计量套件。这些包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，用于质量的摇摆曲线和超快速RSM的组合（低至10秒）和组成扫描，用于结构的全部表征。