GaN on Si功率器件的测量

GaN on Si功率器件可以生长在阶梯式和最高级缓冲层中，但两种类型的器件层是相同的。

阶梯缓冲器用于低压设备，通常结构不太复杂。在这些缓冲液中，需要各个层的组成，并且可以通过HRXRD测量以及摇摆曲线的宽度获得质量。

超晶格缓冲器更为复杂，已被开发用于更高电压的器件。它们由重复的双层AlGaN / GaN(或类似的)层组成，HRXRD提供了超晶格中的超晶格周期和平均AlGaN组成。

不管缓冲层是什么，x射线测量所需的器件层参数是每一层的厚度和AlGaN势垒层的组成。这些都可以通过x射线扫描组合发现。

一套完整的测量方法已经被开发用于氮化镓和硅的应用。这包括使用三轴扫描缓冲层分析，摇摆曲线的质量和组合的超快rms(10秒)和组成扫描的结构的完整表征。