GaN-on-Si功率器件计量

GaN-on-Si功率器件可以生长为阶梯型和最高级缓冲器，但两种类型的器件层相同。

阶梯式缓冲器用于低压设备，通常结构不太复杂。在这些缓冲器中，需要单个层的组成，并且可以从HRXRD测量以及从摇摆曲线宽度获得的质量中获得。

超晶格缓冲器更为复杂，已被开发用于更高电压的设备。它们由AlGaN/GaN（或类似）层的重复双层构成，HRXRD提供了超晶格周期和超晶格中的平均AlGaN成分。

不管缓冲层是什么，X射线测量所需的器件层参数是每层的厚度和AlGaN阻挡层的组成。这些可以从X射线扫描组合中找到。

已经为GaN-on-Si应用开发了一整套计量系统。其中包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，使用摇摆曲线进行质量和超快RSM组合（最短10秒），以及使用合成扫描对结构进行全面表征。