内置ARGUS成像系统的扫描电镜能力的STEM

超能力者联盟——全视的神话巨人回来了

和它的前辈一样,OPTIMUS 2探测器头设计为内嵌式百眼巨人^TM系统提供扫描电镜成像能力的STEM。OPTIMUS 2的前端有三个硅二极管，屏幕中央有一个硅二极管。OPTIMUS 2提供:

这种新型的类bf成像能力对于绘图过程中的漂移校正以及动态实验中样品的近实时可视化特别有用，比如原位拉伸测试、加热和电子透明样品的电偏置。

2.8 m像素的类东风图(左)和放大后的非晶Si₃N₄膜上20nm金薄膜的高亮区域，显示了低于10nm的退火孪晶。图像采集时间为66秒，探头电流为800 pA，加速电压为30 kV。主图和放大后的视图图像中的比例尺分别代表400nm和50nm。

从各种材料中获得的类东风和类东风图像必威手机客户端

用1 nm的步长、400 pA的探针电流和30 kV的加速电压在3秒内获得了Ru薄膜的类bf图像

在0.5 nm的步长、400 pA的探针电流和30 kV的加速电压下，3秒内获得了Ru薄膜的超高分辨率类bf图像

用1 nm的步长、800 pA的探针电流和30 kV的加速电压在3秒内获得了Ru薄膜的类东风图像

4 m像素，在氮化硅支撑膜的TEM栅极上沉积的Ge-Sb-Te (GST)薄膜的平面镜bf图像。图像采集时间为2:05 min，步长为5 nm，探针电流为2 nA，加速电压为30 kV。样本由美国斯坦福大学的Aaron Lindenberg教授和他的团队提供。

4 m像素，在氮化硅支撑膜的TEM栅极上沉积的Ge-Sb-Te (GST)薄膜的平面东风图。图像采集时间为2:05 min，步长为5 nm，探针电流为2 nA，加速电压为30 kV。样本由美国斯坦福大学的Aaron Lindenberg教授和他的团队提供。

用1 nm的步长、700 pA的探针电流和30 kV的加速电压在8秒内获得了Ru薄膜的类bf图像

在0.5 nm的步长、700 pA的探针电流和30 kV的加速电压下，在8秒内获得了Ru薄膜的类bf图像

在1 nm的步长、700 pA的探针电流和30 kV的加速电压下，在8秒内获得了Ru薄膜的类东风图像

在0.5 nm的步长、700pa的探针电流和30kv的加速电压下，在8秒内获得了Ru薄膜的类东风图像

在硅片基片上沉积铂薄膜并用压痕法减薄后的平面类东风图像。图像采集时间为14 s，步长为2 nm，探针电流为1.7 nA，加速电压为30 kV。感谢德国徕卡微系统公司的Wolfgang Grünewald博士对TKD样品的制备/稀释。