内置ARGUS成像系统的嵌入式SEM功能

阿古斯这位无所不在的神话巨人回来了

像它的前身一样，擎天柱2探头设计为内置式阿古斯^商标系统提供扫描电镜成像能力。OPTIMUS 2前端有三个硅二极管，屏幕中央有一个硅二极管，可提供：

类暗场成像
处于TKD映射位置时的类亮场（BF）成像
成像速度高达125000像素/秒
全自动信号优化，创建质量和细节无与伦比的图像

新的BF-like成像功能特别适用于映射期间的漂移校正，以及动态实验期间（如电子透明样品的原位拉伸测试、加热和电偏压）样品的近实时可视化。

2.8 Mpixel DF-like图像（左）和沉积在非晶硅上的20 nm金膜高亮区域的缩放视图₃N₄ 薄膜显示低于10nm的退火孪晶。使用800 pA的探针电流和30 kV的加速电压在66秒内获得图像。主图像和缩放视图图像中的比例尺分别表示400 nm和50 nm。

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从各种材料获取的类DF和类BF图像必威手机客户端

使用1nm的步长、400Pa的探测电流和30kV的加速电压，在3s内获得Ru薄膜的BF样图像

使用0.5nm的步进、400Pa的探测电流和30kV的加速电压，在3s内获得Ru薄膜的超高分辨率BF-like图像

使用1nm的步长、800Pa的探针电流和30kV的加速电压，在3s内获得Ru薄膜的类DF图像

4 Mpixel，具有氮化硅支撑膜的TEM栅极上沉积的Ge-Sb-Te（GST）薄膜的平面视图BF状图像。在2:05分钟内，使用5nm的步长、2Na的探针电流和30kV的加速电压获取图像。样本由美国斯坦福大学艾伦·林登伯格教授及其团队提供。

4 Mpixel，具有氮化硅支撑膜的TEM栅极上沉积的Ge-Sb-Te（GST）薄膜的平面视图DF-like图像。在2:05分钟内，使用5nm的步长、2Na的探针电流和30kV的加速电压获取图像。样本由美国斯坦福大学艾伦·林登伯格教授及其团队提供。

使用1nm的步长、700Pa的探测电流和30kV的加速电压，在8s内获得Ru薄膜的BF样图像

使用0.5 nm的步长、700 pA的探针电流和30 kV的加速电压，在8秒内获得Ru薄膜的BF样图像

使用1nm的步长、700Pa的探针电流和30kV的加速电压，在8s内获得Ru薄膜的类DF图像

使用0.5 nm的步长、700 pA的探针电流和30 kV的加速电压，在8秒内获得Ru薄膜的类DF图像

沉积在硅片衬底上并使用压痕法减薄的铂薄膜的平面图DF-like图像。使用2 nm的步长、1.7 nA的探针电流和30 kV的加速电压在14秒内获得图像。感谢德国徕卡微系统公司的Wolfgang Grünewald博士准备/稀释TKD样品。