高级电源(GaN和SiC)

碳化硅缺陷率

XRDI

X射线衍射成像(XRDI,也称为X射线地形图)用于对其他完美(或接近完美)衬底中的晶体缺陷进行成像。在SiC监控中,它通过晶圆体检测晶体缺陷。Sensus CS能够在生产兼容的吞吐量下以~5µm的分辨率测量SiC衬底,并提供常见缺陷类型的自动缺陷图,包括螺纹螺纹位错(TSD)、螺纹边缘位错(TED)、基面位错(BPD)和微管(MP)。该分析甚至适用于缺陷密度相对较高的晶圆中缺陷重叠的情况。

Sensus CS工具的全自动性质允许提取每种缺陷类型的密度,并通过SECS/GEM自动报告,以便即时反馈给生产部门。

微X射线荧光

对于大晶粒和单晶,微X射线荧光该技术通过可视化相应光谱范围内布拉格峰的出现和消失,可以快速绘制晶体图。这样的劳厄图揭示了不同的微晶结构域。在足够大的单晶中,可以看到某些类型的缺陷和取向变化。