SEM（T-SEM）和茎中半导体薄片的EDS

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电子透明样品中的定量元素映射

半导体结构的连续微型化需要他们对纳米级的理解，以确保合适的设计和故障分析。许多研究需要在高端传输电子显微镜以及复杂的样品制备和样品转移例程上进行昂贵的测量时间。

我们显示了评估电子透明样品中元素分布的选项，例如fib层层，使用能量色散X射线光谱不仅在tem，但也在SEM（图1）或FIB期间。单，多重和环形布鲁克Xflash^®检测器可用于快速数据获取。介绍了SEM（所谓的T-SEM）和茎中电子透明标本的定量EDS的有效方法。

此外，EDS与其他分析技术相关，例如使用Bruker的非破坏性微观X射线荧光分析（Micro-XRF）M4龙卷风和传输kikuchi衍射（TKD）使用SEM中的电子透明标本。