用SEM (T-SEM)和STEM分析了半导体片层的EDS
按需会话- 60分钟
电子透明样品中的定量元素映射
半导体结构的持续小型化需要他们在纳米尺度上的理解，以确保合适的设计和故障分析。许多研究需要在高端透射电子显微镜上花费昂贵的测量时间，以及复杂的标本制备和标本转移程序。
我们展示了评估电子透明样品中元素分布的选项，例如FIB片层，使用能量色散x射线光谱不仅在TEM，但也在扫描电镜(图1)或FIB期间。单、多、环形Bruker XFlash®检测器可用于快速数据采集。提出了电子透明试样在SEM(所谓T-SEM)和STEM中进行EDS定量分析的有效方法。
此外，EDS还与其他分析技术相关联，如使用Bruker的非破坏性微x射线荧光分析(micro- xrf)M4龙卷风透射菊池衍射(跆拳道)采用电子透明样品在扫描电镜。
半导体薄片上的元素分布(元素线反褶积后的净计数)覆盖在二次电子图像上。FIB后，采用高采集角环形Bruker XFlash FlatQUAD EDS探测器对样品进行扫描电镜观察，采集时间为3 min。为了清晰起见，并不是所有的元素都显示出来。
谁应该参加?
- 来自半导体工厂和实验室的科学家和应用科学家
- 对FIB、样品制备、SEM-和TEM-EDS以及元素和结构分析的相关分析技术感兴趣的教学人员和学生
演讲者
博士Meiken Falke
Bruker Nano Analytics全球产品经理TEM-EDS
马克斯Patzschke
应用科学家，Bruker Nano Analytics
Purvesh索尼
应用科学家，Bruker Nano Analytics
