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晶圆级封装

失效分析

失效分析

失效分析

失效分析是制造半导体材料所需的生产控制不可或缺的一部分。根据材料和应用，失效分析可分为电气、化学和机械试验，以调查产品或材料失效的根本原因。必威手机客户端

基于SEM/TEM的溶液

基于SEM/TEM的溶液

STEM中的定量EDS结合组件级的单个样品制备（FIB）提供了识别和研究半导体器件内部结构缺陷的方法。

应用实例

所选微处理器概述：使用M4 TORNADO获取的微型XRF图。

基于EBSD的微处理器引线键合微观结构表征

球键合是一种引线键合，通常用于半导体器件中的电气互连。
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互连结构的高角度环形暗场图像

半导体内连结的化学成分表征

搭载在茎上的标准 30mm2的芯片面积能量分散 十、射线光谱仪 （编辑部或 EDX）可在几分钟内提供具有纳米级分辨率的元素面分析。原因是，由于布鲁克的细管径设计，探头足够小，可以尽可能地接近试样（高固体角）和高于试样（高检出角）。后者有助于避免阴影效应和十、射线在材料内部的吸收损耗。
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FinFET_Fig1_HAADF-EDS-Quant

材料研究高端 茎的大型收集角度 EDS探测器

用于传输电子显微镜的单个 EDS探测器必须满足非常特殊的几何约束。十、射线收集的大实心角度是不够的。高起飞角度、合适的合金器形状或杆片盖和经过调整的标本支架几何形状对于成功进行 EDS分析和帮助控制阴影和系统峰值至关重要。大型椭圆形探测器区域可支持针对特定情况优化所有这些参数。
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TEM、STEM和T-SEM EDS定量处于最佳状态。
2019年6月20日

TEM、STEM和T-SEM EDS定量处于最佳状态

在本次网络研讨会中，我们将解释电子透明样品的EDS定量。
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按需会话-60分钟

SEM和STEM中半导体片层的能谱分析

半导体结构的持续小型化需要他们对纳米尺度的理解，以确保最佳设计和故障分析。
XFlash 6-100椭圆形
2020年12月3日

新型无窗高收集角EDS探测器，具有100 mm²椭圆形硅漂移探测器面积

我们宣布发布新的大收集角EDS探测器，其椭圆形SDD面积为100 mm2，XFlash®6T-100椭圆形用于TEM和STEM，XFlash®6-100椭圆形用于SEM和T-SEM。

微X射线荧光

微X射线荧光

尽管布拉格峰通常被认为是微X射线荧光中阻碍人工制品的因素，但它们可以在光谱中看到，因此可以在X射线荧光图中可视化。布鲁克氏微X射线荧光仪器能够通过快速大面积绘图显示此类布拉格峰的出现、消失或移动。显示晶体取向或结构的变化。

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