大型集合角度EDS探测器材料研究中的高端杆必威手机客户端
示例 - 半导体结构
用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常特定的几何约束。X射线集合的大实角度是不够的。高飞角度，合适的准直器形状或极靴和适应的样品夹具几何对于成功的EDS分析至关重要，并帮助保持阴影和系统峰值检查。一个大的椭圆形探测器区域（例如100 mm2）可以支持某些情况的所有这些参数的优化。对于其他TEM几何形状，但是，冷阱和杆件形状构成的约束，可能只能通过较小的探测器区域解决（30毫米2和60毫米2）。仅仔细评估每个单独的显微镜几何形状将确保正确的探测器选择。Bruker的探测器细线设计有助于所有上述情况。
这Xflash®6T-100椭圆形安装在像差校正杆上，用于评估由FinFET结构制备的横截面样本中的元素分布。（数据提供：ACE，图1）。对于该半导体结构的化学组成的正确评价，对分离重叠元素线，例如在低能量范围内的Ni和Ti，HF，Si和W之间的Ni和Ti之间的尤为重要，在1.4keV和2keV之间，以及重叠来自ge和w围绕10kev的线。此外，来自GA离子铣削和来自显微镜内部和样本支架的二次荧光的残基可以使分析复杂化。布鲁克的ESPRIT软件提供舒适地解决这些问题的手段（图2）。可以容易地识别重叠元素线。清除后台模型和背景减法有助于考虑并识别频谱中存在的每一行。系统峰可以常规识别并排除在量化之外，同时校正它们对定量结果的影响。相对悬崖 - 储层系数和绝对Zeta因子方法可用于量化。
这里施加悬崖 - 储层方法以量化样品中的元素分布。所用的理论悬崖 - 储层因子由ESPRIT不断更新的原子数据库和已知的检测器样本几何和探测器材料组合物计算。定量分析了所有元素，包括氮和铪和钛的所有元素的分布，即每种器件设计存在于薄层中。通过所产生的数据，可以通过NM精度评估结构的质量，并且可以找到设备故障的潜在原因（图1-3）。
请考虑以下同行检测出版物，以进一步应用高固角椭圆探测器在其他研究领域。
[1]用X射线光谱识别单个杂原子鉴定（开放式访问）
应用物理信第108卷，第16,163101（2016）;作者：R. M. stroud，T.C.Avejoy，M.Falke，N. D.Bassim，G. J.Corbin，N. Dellby，P.Hrncirik，A.Kaeppel，M. Noack，W.Hahn，M. Rohde和O. L. Krivanek。
[2]室温多体材料中磁离子分区的直接原子尺度测定（开放式访问）
科学报告7，（2017）条：1737;作者：L. Keeney等人。
