微处理器用EBSD键合的显微结构表征
球键合是线键合的一种，通常用于半导体器件的电气互连。
所选微处理器概述:M4 TORNADO采集的微xrf图。
球键合是一种通常用于半导体器件电气互连的线键合。利用热、静压和超声波能量，在金球和芯片表面之间形成焊缝。
由于工艺变量之间的相互作用，优化键合设置很难设计。通过识别金属互连处的结构变化或变形，对线键合进行EBSD分析是帮助了解设备故障的完美工具。结合EDS/EBSD分析可以实现:
- 同时对不同层的化学和微观结构进行表征
- 评估晶体的形成和生长
- 本地化塑性应变
- 计算双边界的数量
- 确定粒度
- 揭示非晶材料和空腔
用宽离子束铣削制备了用于EBSD分析的试样。使用徕卡TXP和TIC3X仪器进行横切面制备的BSE图像。
ARGUS成像探测器获取的方向对比度图像。结果表明，尽管离子铣削引起了一定的屏蔽效应，但试样制备良好;通过argstm颜色编码取向对比，可以清楚地看到金键的内部应变。
热影响金键的EBSD取向分布图。非常高的分度率(>95%)在快速测量。不应用碳涂层。晶粒尺寸从200 nm到22µm不等。
在低角度错取向分布图(或核平均错取向图)中，发现了大量的位错和低角度界面。当取向偏差分布大于0.5°时，宽离子研磨抛光的影响可以忽略不计。