与EBSD的微处理器线键合的微观结构表征
球键是一种电线键，通常用于半导体设备中的电连接。
选定的微处理器的概述：用M4龙卷风获取的Micro-XRF地图。
球键合是一种用于半导体设备电气连接的电线键合。使用热，静压和超声波能量在金球和芯片表面之间产生焊缝。
由于过程变量之间的相互作用，因此设计最佳键合设置非常棘手。电线键合的EBSD分析是通过识别金属互连处的结构变化或变形来帮助了解设备故障的理想工具。联合EDS/EBSD分析启用：
- 不同层的同时化学和微观结构表征
- 评估晶体形成和生长
- 定位塑性应变
- 计算双边界的数量
- 确定晶粒尺寸
- 揭示无定形物质和腔
使用宽离子束铣削制备样品进行EBSD分析。使用Leica TXP和TIC3X仪器的横截面制备的BSE图像。
用Argus成像检测器获得的方向对比图像。它揭示了微观结构，尽管离子铣削引起了一些遮盖，但样品还是准备好了。金键中的内部应变通过Argustm颜色编码的方向对比度可见。
热影响金键的EBSD方向分布图。在快速测量中实现了非常高的索引率（> 95％）。没有施加碳涂料。晶粒尺寸从200 nm到22 µm不等。
通过低角度不当分布图（或内核平均不良图映射），揭示了金键中高浓度的位错和低角度边界。宽离子铣削抛光的影响可以忽略不计于0.5°的不良取向分布。