微处理器线键合EBSD的微结构特征
球键合是线键合的一种，常用于半导体器件的电气互连。
所选微处理器概述:用M4 TORNADO获得微xrf图。
球键合是一种通常用于半导体器件电气互连的线键合方式。利用热、静压和超声波能量，在金球和芯片表面之间形成焊缝。
由于工艺变量之间的相互作用，优化粘接设置很难设计。通过识别金属互连处的结构变化或变形，EBSD分析线粘接是帮助理解器件失效的完美工具。结合EDS/EBSD分析功能:
- 同时进行不同层的化学和微观结构表征
- 评估晶体的形成和生长
- 本地化塑性应变
- 计算孪晶界的数量
- 确定粒度
- 显示非晶材料和空腔
采用宽离子束铣削制备样品进行EBSD分析。使用Leica TXP和TIC3X仪器制备的横截面BSE图像。
ARGUS成像探测器获取的方向对比图像。揭示了样品的微观结构，尽管在离子磨铣过程中出现了一些遮挡现象，但样品制备得很好;通过ARGUSTM彩色编码的取向对比，可以清楚地看到金键的内部应变。
热影响金键的EBSD取向分布图。非常高的分度率(>95%)是在快速测量。不使用碳涂层。粒度从200 nm到22 nm不等。
低角度错向分布图(或核平均错向分布图)揭示了金层中位错富集和低角度边界。宽离子铣削抛光对取向偏差分布大于0.5°的影响可以忽略不计。