与EBSD的微处理器线粘合的微观结构表征
球键合是一种焊接的键合，通常用于半导体器件中的电互连。
所选微处理器的概述：使用M4龙卷风获取的Micro-XRF地图。
球键是一种通常用于半导体器件中的电互连的引线键合类型。使用热，静压和超声能量在金球和芯片表面之间产生焊接。
由于过程变量与过程变量之间的相互作用，设计是棘手的棘手。电线键合的EBSD分析是通过识别金属互连的结构变化或变形来帮助理解设备故障的完美工具。组合EDS / EBSD分析使：
- 不同层的同时化学和微观结构表征
- 评估晶体形成和生长
- 本地化塑料应变
- 计算双界限
- 确定晶粒尺寸
- 揭示非晶材料和腔
使用宽离子束铣削制备用于EBSD分析的标本。使用Leica TXP和TIC3x仪器的横截面准备的BSE图像。
使用Argus成像检测器获取的定向对比图像。它揭示了微观结构，尽管通过离子铣削引起了一些屏幕，但样品良好地制备;通过armiStm颜色编码的取向对比清楚地看到金键中的内部应变。
EBSD定向分布地图的热影响金键。在快速测量时实现非常高的分度速率（> 95％）。没有施加碳涂层。晶粒尺寸从200nm到22μm变化。
用低角度错位分布图（或内核平均错位图）显示金键中的高浓度的脱位和低角度边界。宽离子铣削抛光的影响忽略不计，对于大于0.5°的错误分布。