Ultra-hochauflösende Elementverteilungsbilder von Silizium-Nanopartikeln

Für die REM-basierte EDS-Analyse von strahlempfindlichen Proben wie Si-Nanopartikeln sind sehr geringe Strahlströme und sehr kurze Messzeiten erforderlich. Darüber hinaus ist es notwendig, die Proben bei niedrigen Beschleunigungsspannungen zu messen, um das Elektronen-Probe-Interaktionsvolumen möglichst klein zu halten, wenn eine hohe räumliche Auflösung erzielt werden soll. Für konventionelle EDS-Messungen sind solche analytischen Bedingungen eine Herausforderung, da die erzeugten Röntgenintensitäten sehr gering sind und somit sehr lange Messzeiten für eine gute Messstatistik erforderlich werden. Bei langen Messzeiten steigt aber auch die Wahrscheinlichkeit von Strahlschäden oder einer strahlinduzierten Probendrift.

EDS-Messungen mit demXFlash^®FlatQUADDetektor können diese Einschränkungen überwinden. Die einzigartige Geometrie desXFlash^®FlatQUADmit seinem überragenden Raumwinkel von 1,1 sr liefert hohe Zählraten sogar bei niedrigen Strahlströmen. Somit eignet sich derXFlash^®FlatQUAD Detektorideal für die Aufnahme von Elementverteilungsbildern strahlempfindlicher Materialien, auch bei ausgeprägter Topographie.

Dieses Beispiel zeigt eine hochauflösendes (Pixelabstand von 2 nm!) Elementverteilungsbild von Silizium-Nanopartikeln. Die Aufnahme erfolgte mit einemXFlash^®FlatQUADbei 5 kV, 520 pA und 377 s Messdauer. Die Ergebnisse von Elementverteilungsbild und Linienprofil belegen, dass die vorliegenden Nanopartikel aus einem Siliziumkern (grün) und einer Kohlenstoffschale (rot) aufgebaut sind. (Daten mit freundlicher Genehmigung: S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577)