硅中碳氧的定量

基于研究系列光谱仪的解决方案：

• 根据ASTM/SEMI MF1391在室温下定量测定硅中的替代碳
• 根据ASTM/SEMI MF1188对硅中间隙氧的室温定量
• 推荐样品特性：厚度为0.5–2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
• 低温分析可将灵敏度提高至约
  碳的10 ppba
• 可达到的检测限<400ppba
  

基于CryoSAS低温硅分析仪的解决方案

• 针对工业环境中的操作进行了优化，可在无需低温液体的情况下进行高必威东盟体育灵敏度低温硅分析
• 全自动测量周期和数据评估，包括报告生成
  
• 同时根据ASTM/SEMI标准对碳、氧和浅层杂质进行定量
  
• 在低ppta范围内对单晶硅中的B、P和更浅杂质进行定量。
• 低ppba范围多晶硅或单晶硅中取代碳的定量
• 低ppba范围多晶硅或单晶硅中间隙氧的定量

基于SiBrickScan Si铸锭分析仪的解决方案：

• 与ASTM/SEMI 1188标准相联系的用于完整硅锭中间隙氧定量的专用在线系统，带有校准功能
• 因此，沿着硅锭纵轴的氧浓度分布
• 根据样品的形状和性质，间隙氧检测限可达到<2ppma。