硅中的碳和氧定量

基于研究系列光谱仪的解决方案:

• 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中替代碳进行室温定量
• 根据ASTM/SEMI MF1188对Si中的间隙氧进行室温定量
• 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
• 低温分析将灵敏度提高到近似
  碳是10ppba
• 可达到检测限<400ppba
  

基于CryoSAS低温Si分析仪的解决方案

• 优化操作在工业环境高灵敏度的低温Si分析，不需要低温液体必威东盟体育
• 完全自动化的测量周期和数据评估，包括报告生成
  
• 同时量化碳，氧和浅杂质根据ASTM/SEMI标准
  
• 对B, P和单晶Si中进一步的浅杂质进行定量，并将其降至低ppta范围。
• 在多晶硅或单晶Si中定量的取代碳到低ppba范围
• 多晶硅或单晶Si中间隙氧的定量到低ppba范围

基于SiBrickScan硅锭分析仪的解决方案:

• 专用在线系统定量完整硅锭中的间隙氧校准，与ASTM/SEMI 1188标准相关
• 结果表明，氧浓度沿硅锭纵轴分布
• 根据样品的形状和性质，间隙氧检测极限可以达到<2ppma。