硅中的浅杂质
浅杂质，如硼和磷，是只需要很少能量就能电离的杂质。我们解释了FT-IR如何用于分析它们。
用FT-IR分析Si中的浅杂质(如B, P…)
傅里叶变换红外光谱法对硅中浅层杂质的检测灵敏度高、无损，是一种被广泛接受的硅质量控制方法。Bruker在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大的和最新的解决方案。
使用CryoSAS低温Si分析仪:
- 优化操作在工业环境高灵敏度的低温Si分析，不需要低温液体必威东盟体育
- 根据ASTM/SEMI标准，全自动测量周期和数据评估，包括报告生成
- 对单晶Si中III类和V类杂质(B, P, As, Al, Ga, Sb)进行了定量，并将其降至低ppta范围
- 同时量化碳和氧。
使用FT-IR光谱仪:
根据ASTM/SEMI MF1389，采用低温近红外光致发光法定量单晶硅中的浅杂质(如B, P)，检测限小于1ppta。可与液体氦低温恒温器或无低温原脉冲管低温恒温器。