硅中的浅层杂质
浅层杂质，如硼和磷，是只需要很少的能量就能电离的杂质。我们解释了如何使用FT-IR来分析它们。
用FT-IR分析Si中的浅层杂质(如B, P…)
傅里叶变换红外光谱法检测硅中浅层杂质具有灵敏度高、无破坏等优点，是一种被广泛接受的硅质量控制方法。布鲁克在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
使用CryoSAS低温硅含量分析仪:
- 在不需要低温液体的高灵敏度低温硅分析的工业环境中进行操作优化必威东盟体育
- 完全自动化的测量周期和数据评估，根据ASTM/SEMI标准，包括报告生成
- 单晶Si中III和V类杂质(B, P, As, Al, Ga, Sb)的定量，直至低ppta范围
- 同时定量的碳和氧。
使用FT-IR光谱仪:
低温近红外光致发光定量单晶硅中的浅层杂质(如B, P)，根据ASTM/SEMI MF1389，检测限小于1ppta可达到。可与液体He低温器或无低温源脉冲管低温器。