硅的质量控制
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如果质量控制
硅的质量控制
元素杂质和晶格的破坏对硅的光学和电学性质有深刻的影响。因此，监测外来污染物的质量和硅晶的大小是一项关键的任务。红外光谱(FT-IR)和微x射线荧光光谱(micro-XRF)是理想的分析工具，可以看到这些材料中的大缺陷和结晶。必威手机客户端
傅立叶变换红外光谱应用实例
用于硅质量控制的FT-IR解决方案
根据ASTM/SEMI MF标准，必威手机客户端可以研究各种材料，包括特定的硅QC解决方案。
- 用于工业生产硅的室温碳和氧定量必威东盟体育
- 对硅电性能有显著影响的浅层杂质(B、P、As等)的测定
- 低温近红外光致发光对浅层杂质的定量具有无与伦比的灵敏度
CryoSAS:
低温硅分析系统，用于低温硅杂质分析
SiBrickScan:
在线硅锭分析仪SiBrickScan用于氧气定量
INVENIO和顶点:
具有高灵活性的下一代FT-IR光谱仪
硅中碳和氧的室温定量
硅中碳和氧的红外光谱分析具有快速、灵敏、无破坏等优点，是一种广泛接受的硅质量控制方法。
Bruker在这一领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大和最新的解决方案。
- 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中取代碳的室温量化
- 根据ASTM/SEMI MF1188测定Si中间隙氧的室温定量
- 可达到的检测极限<400 ppba
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
硅质控低温光致发光研究
根据ASTM/SEMI MFI1389，低温近红外光致发光(PL)能够定量单晶硅中的浅层杂质(如B, P)。
结合无与伦比的VERTEX 80 FTIR光谱仪的灵敏度和专用的Si光致发光模块与低温恒温器，可以实现小于1ppta的检测限制。
- 根据ASTM/SEMI MFI1389测定单晶硅中的B, P和Al
- 三氯硅烷(TCS)通过CVD外延硅层PL的质量控制
- 各种选项，如低温恒温器自动化，专用软件的Si QC光致发光，校准样品和第二附加激励激光器
Micro-XRF应用实例
应用实例
能量色散微x射线荧光快速晶体畴映射
在能量色散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的干扰物。然而，这些布拉格峰，因为它们是有关晶体取向，提供了额外的信息，样品的性质。在这里，我们来描述一下M4龙卷风可以用来可视化晶体域。这些信息对于评估单晶的质量以及多晶材料的性质是至关重要的。必威手机客户端该原理可用于识别单晶中的亚晶粒取向错误，以及多晶样品中的晶体尺寸。
