硅质量控制

根据ASTM/SEMI MF标准，必威手机客户端可对一系列材料进行研究，包括硅QC的特殊溶液。

• 工业生产硅的室温碳氧定量必威东盟体育
  
• 对硅电性能有显著影响的浅杂质（B、P、As等）的测定
• 低温近红外光致发光法测定非匹配灵敏度的浅层杂质
  

CryoSAS：
用于低温硅杂质分析的低温硅分析系统

SiBrickScan：
在线硅锭分析仪扫描氧定量

INVENIO和VERTEX：
具有高灵活性的下一代FT-IR光谱仪

硅中碳和氧的FT-IR分析快速、灵敏、无破坏，因此是硅质量控制的一种广泛接受的方法。

Bruker在这一领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大和最新的解决方案。

• 根据ASTM/SEMI MF1391在室温下定量测定硅中的替代碳
• 根据ASTM/SEMI MF1188对硅中间隙氧的室温定量
• 可达到的检测限<400 ppba
• 推荐样品特性：厚度0.5–2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
  

根据ASTM/SEMI MFI1389，低温近红外光致发光（PL）可对单晶硅中的浅杂质（如B、P）进行定量。

结合VERTEX 80 FT-IR光谱仪无与伦比的灵敏度和带有低温恒温器的专用硅光致发光模块，可实现小于1ppta的检测限。

• B、 根据ASTM/SEMI MFI1389对单晶硅中的磷和铝进行定量
• 三氯硅烷（TCS）化学气相沉积外延硅层的PL质量控制
• 各种选项，如低温恒温器自动化、通过光致发光进行Si QC的专用软件、校准样品和第二个附加激励激光

利用能量色散微X射线荧光技术快速绘制晶体畴

在能量色散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的干扰伪影。然而，这些布拉格峰，因为它们与晶体取向有关，提供了有关样品性质的额外信息。在这里，我们将描述M4龙卷风可用于可视化晶体域。这些信息对于评估单晶的质量以及多晶材料的性能至关重要。该原理可用于确定单晶中的亚晶粒取向错误以及多晶样品中的晶粒尺寸。必威手机客户端

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