硅质量控制
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SI QC.
硅质量控制
晶格的元素杂质和破坏对硅的光学和电性能产生深远的影响。因此，监测对外来污染和Si-晶体的大小的质量是一项关键任务。FT-IR和Micro-XRF是理想的分析工具，可视化大缺陷并在这些材料中结晶。必威手机客户端
FT-IR应用示例
FT-IR解决方案硅质量控制
可以研究整个材料，包括根据ASTM必威手机客户端 /半MF标准的硅QC的特定解决方案。
- 工业生产硅的室温碳和氧气量化必威东盟体育
- 测定显着影响Si电性能的浅杂质（B，P，等等）
- 低温NIR光致发光，用于定量浅杂质，具有无与伦比的灵敏度
低温：
低温硅杂质分析的低温硅分析系统
SibrickScan：
用于氧气量化的氧化硅晶锭分析仪Sibrickscan
Invenio和Vertex：
下一代FT-IR光谱仪具有高柔韧性
硅温碳和氧气量化
红外光谱分析,碳和氧在硅是fast, sensitive, destruction free and therefore a widely accepted method of Si quality control.
Bruker在这一领域拥有数十年的经验，基于顶点系列，我们提供最强大，最新的解决方案。
- 根据ASTM / SEMI MF1391，Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM / SEMI MF1188的Si室温定量Si中的间质氧气
- 可实现的检测限值<400 ppba
- 推荐样品特性：厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶硅
硅QC的低温光致发光
根据ASTM / SEMI MFI1389，低温NIR照片 - 发光（PL）能够在单晶硅中定量单晶硅中的浅杂质（例如B，P）。
结合顶点80 FTIR光谱仪和具有低温恒温器的专用Si光发光模块的无与伦比的灵敏度，可实现小于1ppta的检测限。
- 根据ASTM / SEMI MFI1389，单晶硅B，P和Al定量
- 通过CVD从TCS沉积的外延Si层PL PL的richlororane（TCS）质量控制
- 各种选项，如Cryostat自动化，通过光致发光，校准样本和第二次额外激光的Si QC专用软件
微XRF应用实例
应用例子
使用能量分散微XRF的快速晶域映射
在能量分散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的麻烦伪影。然而，这些布拉格峰值，因为它们与晶体取向有关，提供有关样品性质的额外信息。在这里，我们描述了如何M4龙卷风可用于可视化水晶域。该信息对于评估单晶的质量以及多晶材料的性质至关重要。必威手机客户端该原理可用于识别单晶中的亚粒系失子，以及多晶样品中的微晶尺寸。
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