硅的质量控制
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如果质量控制
硅的质量控制
元素杂质和晶格的破坏对硅的光学和电学性质有着深远的影响。因此，监测杂质和硅晶尺寸的质量是一项关键任务。FT-IR和微xrf是理想的分析工具，以可视化的大缺陷和结晶在这些材料。必威手机客户端
傅立叶变换红外光谱应用实例
硅质量控制的FT-IR解决方案
根据ASTM/SEMI MF标准，必威手机客户端可以调查包括特殊解决方案的硅质控材料的整个范围。
- 用于工业硅生产的室温碳氧定量必威东盟体育
- 测定对Si电性能有显著影响的浅层杂质(B、P、As等)
- 低温近红外光致发光定量浅杂质具有无与伦比的灵敏度
CryoSAS:
用于低温硅杂质分析的低温硅分析系统
SiBrickScan:
用于氧定量的在线硅锭分析仪SiBrickScan
INVENIO和顶点:
具有高灵活性的下一代FT-IR光谱仪
硅中碳和氧的室温定量
傅里叶变换红外光谱分析硅中的碳和氧具有快速、灵敏、无破坏等优点，是一种被广泛接受的硅质量控制方法。
布鲁克在这一领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大和最新的解决方案。
- 根据ASTM/SEMI MF1391对硅中替代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188对硅中的间隙氧进行室温定量
- 可达到的检测限<400 ppba
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
硅QC的低温光致发光
根据ASTM/SEMI MFI1389，低温近红外光致发光(PL)能够定量单晶硅中的浅层杂质(如B, P)。
结合VERTEX 80 FTIR光谱仪无与伦比的灵敏度和专用Si光致发光模块与低温恒温器，可以实现小于1ppta的检测限。
- B, P和Al定量单晶硅根据ASTM/SEMI MFI1389
- 三氯硅烷(TCS)通过化学气相沉积外延硅层的PL质量控制
- 各种选择，如低温恒温器自动化，光致发光Si QC专用软件，校准样品和第二附加激励激光
Micro-XRF应用实例
应用实例
利用能量色散微xrf快速晶体畴映射
在能量色散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的干扰物。然而，这些布拉格峰，因为它们与晶体取向有关，提供了关于样品性质的额外信息。在这里，我们描述如何M4龙卷风可以用来可视化晶体域。这些信息对于评价单晶的质量以及多晶材料的性能是至关重要的。必威手机客户端这一原理可用于识别单晶的亚晶粒取向偏差以及多晶样品的微晶尺寸。
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