晶圆级封装

半导体制造商在晶圆级封装方面面临许多关键的新兴趋势。这些措施包括：

• 再分配层
• 新的UBM薄膜和堆叠
• 更紧密的音高特征
• 小锡球
• 无铅焊料替代品

这些关键趋势带来了相关的计量挑战，并产生了以下需求：

• 厚度和成分控制
• 高采样和高通量
• 更少的毛毯晶圆
• 生产晶圆取样

这些需求推动了对RDL和UBM层的非破坏性厚度测量的需求，其中包括具有良好的点位置、更紧密的间距密度（<200μm）和更小的焊球（<100μm）的小点测量技术。

其他关键考虑因素包括大块UBM层的成分测量，其中Ni（P）成分影响钝化层的质量，以及无铅焊料替代品的成分测量：

• 锡/银成分→ 影响可靠性/防止“短路”必威官网体育下载
• Sn/Ag显示在回流过程中从UBM获得Ni或Cu

Bruker的XRF技术通过能量色散（~150eV）技术解决了这些挑战，该技术具有用于快速、高通量测量的多探测器阵列和100%的Sn/Ag探测器效率，以及能够测量50×50μm特征的小光斑（多毛细管）光学器件。此外，Jordan Valley XRF技术还提供了非破坏性实时测量，可立即扭转局面。