AFM模式

Datacube模式

每个像素的多维纳米级信息

纳米电子表征的完整解决方案

Datacube模式扩展功能,例如Peakforce金枪鱼peakforce kpfm.,通过启用获取多维数据多维数据集。对于材料必威手机客户端科学家和工程师来说,这会破坏长期效率和表征障碍。这些新功能在高密度数据立方体中同时捕获纳米级电气和机械特性,以前不可能在单一测量中获得。

相关的多维电光谱

Dimension XR的DataCube模式在每个像素处提供多维纳米级信息,同时在单一测量中捕获电气和机械特性。

Datacube模式利用Fastforce卷在每个像素中执行力距离频谱,具有用户定义的“停留时间”。使用高数据捕获速率,在停留时间期间执行多个电测量,导致每个像素处的电气和机械光谱。典型的力距离光谱,以每像素100ms停留时间为40Hz的升温速率测量,在单个实验中提供完整的表征,这是商业AFM中的闻所未闻。它不再是史诗实验,同时呈现地形,机械和多维电气信息。现在,这种数据可以作为例行AFM测量来实现。Datacube模式在纳米长度尺度下使多维数据多维数据集具有各种扫描中的复合数据。此功能可实现强大的一系列新模式。

Datacube-Tuna(DCube-Tuna)

导电AFM结果受应用的样品电压的影响,描绘了材料或装置的重要性能转变。DCube-Tuna能够在单个测量中同时在多个样本电压下进行纳米机械信息和电导率,构建样本信息的密集数据多维数据集。这是提供样本电导率的完整图像的唯一模式,其中细节如导电类型(欧姆,非欧姆,肖特基等)和障碍高度。

在Magehemite(γ-FE2O3)上收集的当前图像,同时在每个像素中从-2V到+ 2V升高样本电压。不同的晶粒具有不同的传导机制,通过将数据通过扫描电压查看数据作为“切片”突出显示。

Datacube-SCM(DCUBE-SCM)

扫描电容显微镜(SCM)提供一种以纳米级精度直接测量活性载体浓度的方法。DCube-SCM能够在单一测量中同时在多个样本电压下采集纳米力学和载波信息。该技术提供了一种唯一的解决方案,可以观察DC / DV幅度和DC / DV相位值变化和结位置偏移。通过由此产生的数据多维数据集,研究人员可以观察关于氧化物厚度,氧化物电荷,阈值电压,来自移动离子的污染物的附加信息,以及界面陷阱密度。

通过DC / DV幅度切片,同时从-2V到2V升高电压,显示PNP结曲线随电压而变化。数据由N.Chevalier&D. Mariolle在U Grenoble Alpes,Cea,Leti,法国。
在SRAM存储器中的两个相邻PNP晶体管上收集的DC / DV幅度图像,同时从-2V到+ 2V升高样本电压。电压相关的PN结位置对应于预期的行为。一些掺杂剂缺陷仅在特定电压下可见。扫描尺寸3x3 um。数据由N.Chevalier和D. Mariolle,Uni提供。格勒诺布尔alpes,cea,leti,法国。

Datacube-PFM(DCUBE-PFM)

压电响应(压区换)显微镜(PFM)是一种映射在纳米刻度上的样品上的反向压电效应的技术。DCube-PFM能够在数据多方面中同时采集纳米力学信息和PFM幅度/相位光谱,其在单个数据集中揭示每个单独域的开关电压。此外,DCube-PFM克服了与常规相关的数据分析的伪影,样品损伤和复杂性联系方式方法。

DCube-PFM高度和PFM图像(左)和光谱图(右)沿BFO铁电器中的1.2μm长线交叉多个域。该图在-6V至0V的斜坡期间显示PFM幅度和PFM相位与偏置。可以为每个单独的域提取开关电压。

Datacube-CR-PFM(DCube-CR-PFM)

DCube压电响应(压区)与接触谐振结合的显微镜提供了DCube-PFM的益处,具有在每个像素处提供频率斜坡的增加的益处,提供完整的频谱和接触谐振的峰值灵敏度。

在LiTaO3样本上收集的DCube-CR-PFM数据显示地形,接触谐振(CR),PFM相位,PFM相位和CR峰的数量(当材料不显示压电响应时)。PFM幅度和相位与频谱和相应的力谱显示为几个像素。

Datacube-SSRM(DCube-SSRM)

扫描抗扩散性显微镜(SSRM)用于映射掺杂半导体中多数载流子浓度的变化。DCube-SSRM能够在单个测量中同时采集纳米力学信息和3D载波密度映射。得到的数据多维数据集提供了完整的表征,包括纳米级地形,机械信息和逻辑电阻光谱。此外,I-V测量显示导电性是否欧姆,非欧姆,肖特基或其他。

此处的图像系列显示了Datacube SSRM在尺寸图标XR上的方式如何帮助映射分量分布并揭示粒子变化。这里,Datacube模式中可用的模数图清楚地将硬质金属氧化物颗粒与周围的软粘合剂区分开,而同时获取的电导率图揭示了炭黑的不均匀分布。看到靠近图像的顶部边缘附近的颗粒不被炭黑覆盖,并且从相同的数据中提取的一系列电导率图像识别该粒子为DEAD I. I.在整个工作电压范围内无效。

datacube-smim(dcube-smim)

扫描微波显微镜成像(SMIM)提供了电容(C)和电阻(R)部分的阻抗,以及DC / DV,DR / DV数据 - 在用户定义的采样电压下。使用DCube-Smim,可以在单一扫描中获取各种样品电压的相同属性 - 并立即获取“全图”。光谱还揭示了另外的信息,例如传导型(欧姆,非欧姆,肖特基等),氧化物厚度,氧化物电荷,来自移动离子的污染,以及界面捕集密度。

力与时间,电容(Smim-C)与具有相反掺杂剂类型的2个像素的时间图。在100ms停留时间期间获取的典型的S形C-V曲线对于n型和p型可见。图像显示在DataCube上的3个不同的样本电压的“切片”,在Si样品上使用双楼梯配置文件(参见样品说明:DOI:10.1016 / J.Microrel.2014.07.024,Infineon Munich)。在不同的电压下,n型和p型区域的对比度和敏感性变化。